首页 > 商品目录 > > > > RS6R035BHTB1代替型号比较

RS6R035BHTB1  与  BSC520N15NS3 G  区别

型号 RS6R035BHTB1 BSC520N15NS3 G
唯样编号 A33-RS6R035BHTB1-0 A-BSC520N15NS3 G
制造商 ROHM Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Nch 150V 35A, HSOP8, Power MOSFET 系列:OptiMOS™
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 41mΩ@35A,10V 52mΩ
RoHS compliant - yes
漏源极电压Vds 150V 150V
Moisture Level - 1 Ohms
Pd-功率耗散(Max) 73W -
Ciss - 670.0 pF
Rth - 2.2 K/W
Coss - 80.0pF
栅极电压Vgs ±20V 3V,2V,4V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 HSOP8 (Single) SuperSO8
工作温度 -55℃~150℃ -55°C~150°C
连续漏极电流Id 35A 21A
QG (typ @10V) - 8.7 nC
系列 - OptiMOS™
Ptot max - 57.0W
QG - 8.7nC
Ptot max - 57.0 W
IDpuls max - 84.0 A
Budgetary Price €€/1k - 0.4
库存与单价
库存 2,480 0
工厂交货期 21 - 28天 56 - 70天
单价(含税)
20+ :  ¥12.1984
50+ :  ¥7.6564
100+ :  ¥7.091
300+ :  ¥6.7173
500+ :  ¥6.6407
1,000+ :  ¥6.5832
2,000+ :  ¥6.5544
暂无价格
购买数量 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RS6R035BHTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSOP8 (Single) N-Channel 73W 41mΩ@35A,10V -55℃~150℃ ±20V 150V 35A

¥12.1984 

阶梯数 价格
20: ¥12.1984
50: ¥7.6564
100: ¥7.091
300: ¥6.7173
500: ¥6.6407
1,000: ¥6.5832
2,000: ¥6.5544
2,480 当前型号
BSC360N15NS3 G Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSC360N15NS3GATMA1_150V 33A 36mΩ 20V 74W N-Channel -55°C~150°C

暂无价格 0 对比
BSC520N15NS3 G Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSC520N15NS3GATMA1_21A SuperSO8 -55°C~150°C N-Channel 150V 52mΩ 3V,2V,4V

暂无价格 0 对比
FDS86242 ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

4.1A(Ta) ±20V 2.5W(Ta),5W(Tc) 67m Ohms@4.1A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) SOIC N-Channel 150V 4.1A 8-SOIC

暂无价格 67,479 对比
FDS86242 ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

4.1A(Ta) ±20V 2.5W(Ta),5W(Tc) 67m Ohms@4.1A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) SOIC N-Channel 150V 4.1A 8-SOIC

¥3.036 

阶梯数 价格
20: ¥3.036
100: ¥2.519
380 对比
IRF7451TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±30V 2.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 90mΩ@2.2A,10V N-Channel 150V 3.6A 8-SO

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售